2015年11月26日，“粒子技术与辐射成像教育部重点实验室2015年度学术年会暨新一届学术委员会第三次会议”在清华大学刘卿楼顺利召开。实验室学术委员会委员李惕碚院士、沈文庆院士、王乃彦院士、潘自强院士、刘尚合院士、陈森玉院士、彭先觉院士、王青教授、胡逸民研究员等出席了会议。我校常务副校长、实验室副主任程建平，科研机构管理办公室主任甄树宁；我系系主任陈怀璧，副系主任王学武；实验室主任康克军，副主任唐传祥、高原宁，以及我系核所、医学所、近物所等有关领导及教师30余人参加了会议。我系主任陈怀璧及实验室学术委员会主任李惕碚院士分别主持了会议前后段。

学术委员会听取了实验室2015年度工作汇报，以及LHCb清华组与五夸克态的发现、高亮源及质子源项目进展、辐射成像技术研究及产业化进展、暗物质研究及中国锦屏地下实验室建设等本年度实验室重点项目最新进展的汇报。学术委员会重点审议了实验室年度工作报告以及新申请的开放课题，对实验室一年来的各项工作给予充分肯定，认为：

2015年，实验室各项工作成绩突出，主要包括：实验室LHCb研究团队在五夸克态发现中做出重要贡献；研制成功高纯锗阵列探测器，阈值达到300eV以下；集装箱/车辆检查系统产品产销量再创历史新高，实现了年产150套的新纪录，累计销量突破1000套；物品CT和人体安检系统取得多项技术突破，销量显著提升；2015年新启动国家课题15项，总经费超过2400万元；实验室成功主办了5个国际会议，4个国内会议；陈志强教授获国家自然科学基金委“杰青”项目资助；多名学生获得研究生国家奖学金、北京市优秀毕业生、蔡诗东等离子体物理奖等重要奖励。

学术委员会肯定了实验室2016年度的工作重点，同时，鼓励实验室充分利用中国锦屏地下实验室的优越条件，进一步加强学术合作与交流，争取获得更大的前沿探索成果。