2021年7月，技术物理研究所成功实现了⁷²Ge、⁷⁶Ge同位素的工业级分离技术，获得了公斤级的⁷²Ge（丰度大于60%）、⁷⁶Ge（丰度大于90%）同位素产品，解决了锗同位素长期以来进口的问题，为我国锗同位素工业化生产提供了解决方案。

天然锗（Ge）有5种稳定同位素，其中⁷²Ge、⁷⁶Ge分别在半导体制造、双贝塔衰变实验领域有重要应用。丰度高于55%的⁷²Ge可防止硅晶片注入掺杂剂通道，优化器件的性能和速度，消除沟道效应，增强P型金属氧化物半导体场效应管（pMOSFET）的器件性能，因此⁷²Ge在半导体工业中的需求日益增长，目前已达到每年几百公斤。无中微子双贝塔衰变实验是当前粒子物理与核物理的重要科学前沿，是可能突破标准模型的研究方向之一。⁷⁶Ge丰度高于86%的高纯锗探测器被用于开展无中微子双贝塔衰变测量实验，CDEX、GERDA、LEGEND、MAJORANA等多个实验组均计划使用1吨以上⁷⁶Ge富集的高纯锗探测器开展无中微子双贝塔衰变实验。同时⁷⁶Ge作为前体稳定同位素，还可用于生产医用放射性核素⁷⁸Se。当前我国至今尚未形成锗同位素的生产能力, 所用锗同位素全部依赖进口，市场被外国的俄罗斯同位素公司（JSC）、法国新阿海珐公司（Orano）等垄断。

我系技术物理研究所有着数十年稳定分离同位素的科研积淀，积累了丰富的技术经验，拥有级联设备与人才团队方面的优势，自主设计建造了基于工业分离单元的国产级联平台，开展了以四氟化锗为介质的阶梯型级联多组分多遍分离方法研究，通过理论计算和大量实验，调整级联结构，优化供取料流量、分流比等参数，在国内首次成功实现了锗同位素的级联分离。将⁷²Ge与⁷⁶Ge分离相结合，在降低分离成本的同时，获得了公斤级丰度为61%的⁷²Ge产品和丰度为90%的⁷⁶Ge产品，为我国锗同位素工业化分离提供了完整的技术解决方案。