9月29日，芬兰奥卢大学电气与信息工程系教授Sergey Naumovich Vainshtein应邀访问我系并做客第495期“太阳新城学术论坛”。Sergey Naumovich Vainshtein教授面向全系师生作了题为“基于半导体辐射源的亚太赫兹时域成像（Sub-terahertz time-domain imaging based on new physical concept of a semiconductor emitter）”的学术报告。本次学术论坛由赵自然研究员主持，大约20名师生参加。

芬兰奥卢大学电气与信息工程系教授Sergey Naumovich Vainshtein作报告

近年来，随着太赫兹源和探测器的逐渐成熟，太赫兹技术在无损检测、生物医学诊断、无线通信、公共安全等领域展现出了独特优势。Sergey Naumovich Vainshtein教授介绍了一种基于新物理概念的微型、电控、室温工作的太赫兹源的研发。该太赫兹源由超窄、雪崩强电场（称之为“坍缩域”）激发。在这个电场区域内，高密度的电子、空穴等离子体产生了电流振荡，从而激发太赫兹辐射。基于GaAs材料制备微型双极器件，使其在脉冲（纳秒和亚纳秒）雪崩模式下工作，可以实现这种太赫兹辐射机制。

Sergey Naumovich Vainshtein教授着重讲解了雪崩效应在超高速开关和产生亚太赫兹振荡过程中的作用，阐释了器件快速响应的特性。他还展示了基于该太赫兹源研制的原型样机，以及应用该样机进行时域成像的示例。

此次学术论坛，使我们对太赫兹时域成像相关应用技术的发展现状有了全新的认识，促进了双方的相互了解，增强了双方的学术交流及合作。